型号 | SPD06N80C3 |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK |
SPD06N80C3 PDF | |
代理商 | SPD06N80C3 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
产品目录绘图 | Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252 |
标准包装 | 1 |
系列 | CoolMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 900 毫欧 @ 3.8A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3.9V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 41nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 785pF @ 100V |
功率 - 最大 | 83W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | SPD06N80C3INCT SPD06N80C3XTINCT SPD06N80C3XTINCT-ND |